پیوندهای هالوژنی در ملکولهای دارای si-x و ge-x (x=f, cl, br)

پایان نامه
  • وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علوم پایه دامغان - دانشکده شیمی
  • نویسنده اعظم علیزاده
  • استاد راهنما کیامرث اسکندری
  • تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
  • سال انتشار 1392
چکیده

پیوندهای غیرکوالانسی مدلی از برهم کنش های درون ملکولی و بین ملکولی هستند که به دلیل نیروهای الکتروستاتیک و نیروهای لاندنی میان اتم های مختلف بوجود می آیند. پیوند هالوژنی به برهم کنش میان اتم هالوژن و گونه ی الکترون دهنده نسبت داده می شود. این واقعیت که هم اتم هالوژن و هم گونه ی الکترون دهنده دارای بار منفی هستند، برهم کنش های میان این دو بار منفی را چالش برانگیز کرده است. دو مفهوم "حفره ی سیگمای مثبت" و "لاپلاسین چگالی الکترونی" از جمله دیدگاه های مهم برای تفسیر پیوند هالوژنی می-باشند. که هر کدام، از روش های متفاوتی برای پیش بینی و تفسیر تشکیل پیوند هالوژنی استفاده می کنند. در این طرح پژوهشی ما به بررسی توانایی تشکیل پیوند هالوژنی در ملکول های mh3x و mf3x می پردازیم که m=c,si,ge و x=f,cl,br می باشند و آنها را از دو دیدگاه مذکور مورد بررسی قرار داده و نشان می دهیم که لاپلاسین چگالی الکترونی نیز ابزار مفیدی برای پیش بینی توانایی یک هالوژن برای تشکیل این پیوند است. برای ملکول هایی نظیر geh3cl ,ch3cl و geh3br پتانسیل الکتروستاتیک پالیتزر یک سطح کاملا منفی را برای اتم های cl و br به دست می آورد و نتیجه می گیرد که این اتم ها به علت فقدان حفره ی سیگمای مثبت مثبت توانایی تشکیل پیوند هالوژنی را ندارند. درحالیکه لاپلاسین چگالی الکترونی با تشخیص حفره روی لایه ی ظرفیت تمرکز بار (vscc) cl و br این اتم ها را مستعد تشکیل پیوند هالوژنی با اتم دهنده الکترون می داند و تشکیل کمپلکس های پایدارgeh3cl…nch ch3cl…nch و geh3br…nch دال بر صحت این پیش بینی می باشند. با توجه به اینکه نشان داده اند در ملکول های دارای c-x ممان چهارقطبی اتم های هالوژن مسـول اصلی برهم کنش آنها با اتم الکترون دهنده می باشند ما نیز تاثیر ویژگی های الکتروستاتیکی اتم هالوژن را بر تشکیل پیوند هالوژنی مورد بررسی قرار داده و نشان می دهیم در موارد دارای si-x و ge-x ممان چهارقطبی نقش موثری ندارد. اتم هالوژنی که در تشکیل پیوند هالوژنی شرکت می کند با پیوند کوالانسی به اتم دیگری متصل است که آن را به صورت r-x…b نشان می دهند. ماهیت و نوع r تاثیر زیادی بر پیوند هالوژنی تشکیل شده بوسیله ی x دارد. در این طرح با بهره گیری از نظریه ی کوانتومی اتم ها در ملکول ها (qtaim) به بررسی اثر rهای مختلف بر پیوند هالوژنی خواهیم پرداخت. در اینجا به بررسی ملکول های mh3x (m=c, si, ge and x=f, cl, br) می باشند. در ابتدا به بررسی توانایی تشکیل پیوند هالوژنی توسط اتم های کلر در ملکول های sih3cl, ch3cl و geh3cl، همچنین ملکول های sih3br, ch3br و geh3br و ملکول های mf3x و ملکول های fcmx و hcmx (m=c, si, ge and x=cl, br ) پرداختیم. از نقطه نظر لاپلاسین چگالی الکترونی اتم های cl و br در ملکول های ch3cl، geh3br و geh3cl به دلیل وجود حفره در vscc خود و در امتداد پیوند کوالانسی با اتم های c و ge توانایی تشکیل پیوند هالوژنی با گونه ی الکترون دهنده مثل n را دارند. اما براساس پتانسیل الکتروستاتیک، پالیتزر و همکارانش یک سطح کاملا منفی را برای این اتم ها نشان داده اند و نتیجه می گیرند برم و کلر در این ملکول ها به دلیل نداشتن حفره ی سیگمای مثبت قادر به تشکیل پیوند هالوژنی نمی باشند. با توجه به تشکیل کمپلکس های ch3cl…nh3 و geh3br…nch که صحت پیش بینی از دیدگاه لاپلاسین چگالی الکترونی را تایید می کنند می توان نتیجه گرفت لاپلاسین چگالی الکترونی ابزار بهتری برای پیش بینی و تفسیر تشکیل پیوند هالوژنی می باشد. براین اساس می توان پیوند هالوژنی را به صورت برهم کنش میان حفره ی موجو در vscc اتم هالوژن و توده ی موجود در vscc اتم الکترون دهنده دانست. ما همچنین تاثیر ویژگی های الکتروستاتیکی اتم هالوژن را بر روی پیوند هالوژنی در تمام ملکول های مذکور مورد بررسی قرار دادیم. با توجه به تشکیل کمپلکس های پایدار f3sibr…nch، f3sicl…nch و hcsicl…nch و تمرکز بر روی ویژگی های الکتروستاتیکی اتم si دریافتیم اتم های br و cl تحت تاثیر بار مثبت و بالای روی si پیوند هالوژنی تشکیل می دهند که پایداری بیش از دو برابر کمپلکس های f3brsi…nch و f3clsi…nch نسبت به f3sibr…nch و f3sicl…nch این موضوع را تایید می کنند. همچنین نشان دادیم ماهیت و نوع گروه متصل به اتم هالوژن تاثیر قابل توجهی روی توزیع بار این اتم و ویژگی های الکتروستاتیکی آن و در نتیجه تمایل این اتم برای تشکیل پیوند هالوژنی می گذارد. به این صورت که با جایگزین کردن اتم هیدروژن با فلوئور، در ملکول های mf3x و fcmx باعث کاهش گشتاور دوقطبی و چهارقطبی اتم هالوژن و منفی تر شدن بار روی این اتم می شود که در نهایت موجب منفی تر شدن پتانسیل الکتروستاتیک اتم هالوژن و کاهش تمایل آن برای تشکیل پیوند هالوژنی خواهد شد که نتایج ان را می توان در کاهش انرژی پایداری هنگام تشکیل کمپلکس با ملکول hcn مشاهده نمود.

۱۵ صفحه ی اول

برای دانلود 15 صفحه اول باید عضویت طلایی داشته باشید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

مطالعه تئوری کمپلکسهای پیوند هالوژنی( r2y…xz ) ( x, z=f, cl, br, i ; y=si, ge; r=h, ch3)

با استفاده از نرم افزار گوسین، تشکیل کمپلکسهای پیوند هالوژنی بین مولکول های دی هالوژن( x-z)x, z=f, cl, br, i)) و گونه های شامل سایلیلن ها و ژرمیلن ها به صورت تئوری در سطحهای (mp2/6-311g++(d,pو mp2/genمورد مطالعه قرار گرفت. برهمکنش مولکول های دی هالوژن با سایلیلن ها و ژرمیلن ها منجر به تشکیل کمپلکس های پیوند هالوژنی r2y… xz; y=si, ge; r=h, ch3, میگرددکه برای کمپلکس های مورد مطالعه، برهمکنش اضافی...

15 صفحه اول

Diffusion in Si(x)Ge(1-x)/Si nanowire heterostructures.

Si0.48Ge0.52/Si tip/nanowire heterostructures were grown by pulsed laser vaporization (PLV) at a growth temperature of 1100 degrees C. Ge diffusion in [111]-growth Si nanowires was studied for different post-synthesis annealing temperatures from 200 degrees C to 800 degrees C. Ge composition profiles were quantified by energy-dispersive X-ray spectroscopy in a transmission electron microscope. ...

متن کامل

Polyanionic Hexagons: X6n- (X = Si, Ge)

The paper reviews the polyanionic hexagons of silicon and germanium, focusing on aromaticity. The chair-like structures of hexasilaand hexagermabenzene are similar to a nonaromatic cyclohexane (CH2)6 and dissimilar to aromatic D6h-symmetric benzene (CH)6, although silicon and germanium are in the same group of the periodic table as carbon. Recently, six-membered silicon and germanium rings with...

متن کامل

Composition controlled synthesis and Raman analysis of Ge-rich Si(x)Ge(1-x) nanowires.

Here, we report the synthesis of Si(x)Ge(1-x) nanowires with x values ranging from 0 to 0.5 using bulk nucleation and growth from larger Ga droplets. Room temperature Raman spectroscopy is shown to determine the composition of the as-synthesized Si(x)Ge(1-x) nanowires. Analysis of peak intensities observed for Ge (near 300 cm(-1)) and the Si-Ge alloy (near 400 cm(-1)) allowed accurate estimatio...

متن کامل

Topological characterization of HXO2 (X = Cl, Br, I) isomerization.

The isomerization reactions of HOOX --> HOXO --> HXO2 (X = Cl, Br, I) have been studied by using the density functional theory. The breakage and formation of the chemical bonds of the titled reactions have been discussed by the topological analysis method of electronic density. The calculated results show that there is a transitional structure of a three-membered ring on each of the isomerizati...

متن کامل

Comparison of the effect of Si and Ge presence on phase formation process, the structural and magnetic properties of Co2FeX (X=Ge,Si) Heusler compounds

In this study, the Co2FeX (X=Ge, Si) Heusler compounds with 30 valence electrons, which are made by using mechanical alloying and arc melting methods were studied. The crystallization of samples was confirmed by XRD data in both manufacturing methods. The results showed that the presence of Si than Ge in the compound played a more effective role to creation a large scale atomic ordering, and th...

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علوم پایه دامغان - دانشکده شیمی

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023